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Si4108DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.04
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
T J = 125 °C
0.01
0.01
T J = 25 °C
0.001
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
4
8
12
16
20
4
3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
150
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
90
2
60
1
30
0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 1
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
L imited             by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
0.1
1s
10 s
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1
10
B V DSS
Limited
DC
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68635
S-81195-Rev. A, 26-May-08
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